衰减范围与位数：
位数： 6位 数字控制。
衰减范围： 0.5 dB LSB 步进，提供高达 31.5 dB 的总衰减范围。这意味着它具备 64 (2^6) 个离散的衰减状态，可实现极其精细的幅度调节。
频率范围：
DC - 4.0 GHz。其卓越的宽带特性使其能无缝应用于从基带、中频直到C波段的各类系统，通用性极强。
精度与线性度：
衰减精度（误差）： 极低，典型值在整个频带和温度范围内均优于 ±0.5 dB。这是实现可重复、可靠射频控制的基础。
相位变化： 极小的衰减态相关相位变化，典型值 < 5 degrees。这对于相敏系统（如相控阵雷达、QAM调制系统）至关重要，避免了衰减调整引入的额外相位失真。
切换速度：
< 100 ns（纳秒）。惊人的切换速度允许在脉冲调制、跳频等高速场景下进行实时衰减控制，远超机械或MEMS衰减器的速度。
控制接口：
并行控制。通过6个TTL/CMOS兼容的控制引脚（Pin0 - Pin5）直接设置衰减状态，接口简单，响应瞬时，无串行协议延迟。
线性度与功率处理：
输入IP3（三阶截断点）： 典型值 +50 dBm。极高的线性度确保了在大信号条件下不会产生明显的互调失真，保持信号完整性。
功率处理（1dB压缩点）： +25 dBm。能够处理较高的射频功率，适用于发射链路的功率控制。
封装：
LP4 (4x4 mm QFN) 表贴封装。符合现代射频PCB设计对小型化的要求，并提供良好的散热和接地性能。
典型应用场景
测试与测量设备： 矢量网络分析仪、频谱分析仪、信号源中的自动电平控制（ALC）单元。
军用与航天系统： 电子对抗（ECM）、相控阵雷达T/R模块、雷达导引头中的增益控制。
无线通信基础设施： 5G宏基站/小基站、微波回传链路中的发射功率控制和接收通道保护。
点对点无线电： 在变化的链路条件下动态调整功率，优化连接性能。
