关键参数解析
内核架构：ARM Cortex-M0+ @32MHz，高效能低功耗设计
超低功耗表现：
运行模式：89μA/MHz（3V供电）
待机模式（RTC保持）：0.35μA（行业领先）
唤醒时间：5μs（快速响应，节能更高效）
存储资源：
128KB Flash + 20KB SRAM（满足多数IoT固件需求）
6KB EEPROM（数据存储更灵活）
丰富外设：
12位ADC（1Msps）、DAC、比较器
USART/I2C/SPI（支持低功耗模式）
硬件加密（AES-128/256，提升安全性）
封装与扩展：LQFP64（14×14mm），多达52个GPIO
三大核心优势
极致低功耗 —— 电池供电设备续航提升3-5倍（对比普通M0 MCU）
高集成度设计 —— 内置EEPROM、硬件加密，减少外围器件
强抗干扰能力 —— 通过EMC Class B认证，工业级稳定性
典型应用场景
智能表计（水/电/气表，10年+电池寿命）
无线传感节点（LoRa/NB-IoT/ZigBee）
可穿戴设备（手环、医疗监测）
工业传感器（低功耗数据采集）
