参数类别 规格说明
型号 MT40A1G8SA-062E IT:E
产品类型 DDR4 SDRAM
密度与组织 8Gb (1G x 8-bit)
速度等级 -062E (等效于 DDR4-3200, 速率 3200 Mbps)
时序 CL-22 @ DDR4-3200 (22-22-22)
工作电压 1.2V (标准VDD), 支持VPP=2.5V
刷新周期 32ms (0°C ≤ TC ≤ +85°C)
封装 符合JEDEC标准的78-ball FBGA封装
温度范围 IT (Industrial Temperature, 工业级): -40°C 至 +95°C (TC)
特性支持 片上ECC (ODECC), 可编程CRC, CA奇偶校验, 1.2V VDDQ
兼容性 符合 JESD79-4B DDR4 SDRAM 标准
专业优势突出
相较于消费级DDR4内存，MT40A1G8SA-062E IT:E在以下几个方面展现出其卓越的专业性和可靠性：
1. 宽广的工业级温度范围 (IT: -40°C to +95°C)
这是该型号最核心的专业标志。消费级DRAM通常仅支持0°C至85°C（TC）的商业级温度。而IT等级使其能够稳定运行在极端严寒（-40°C）和高温（+95°C）环境下。这确保了在户外设备、自动化工厂、车载系统、电信基站等恶劣工况下的长期可靠性和数据完整性。
2. 增强的数据完整性与可靠性特性
该芯片集成了多项企业级数据保护技术，是其专业性的关键体现：
片上ECC (ODECC): 在芯片内部集成了纠错码功能，能够实时检测和纠正单位元错误，并检测双位元错误。这极大地降低了软错误率（SER），对于需要7x24小时不间断运行且不能容忍数据错误的服务器和存储系统至关重要。
可编程CRC (Cyclic Redundancy Check): 支持循环冗余校验，用于检测命令和地址总线在传输过程中可能出现的错误，增强了系统通信的可靠性。
CA奇偶校验: 对命令/地址信号进行奇偶校验，提供另一层保护，防止因信号干扰导致的误操作。
3. 高性能与低功耗的平衡
DDR4-3200高速度: 提供高达3200 MT/s的数据传输率，能够有效满足现代数据中心和HPC应用对高内存带宽的迫切需求，缓解数据瓶颈。
1.2V低工作电压: 在提供高性能的同时，遵循DDR4标准的低电压设计，有助于降低系统整体功耗和运行成本，符合绿色数据中心的发展趋势。
4. 企业级品质与长期供货保障
作为美光面向企业及工业市场的产品线，该芯片经过更为严格的测试和认证流程，具备更高的平均无故障时间（MTBF）。同时，美光通常为这类产品提供长期供货（Longevity Support） 承诺，满足工业、通信和医疗设备等长生命周期产品的需求，避免因产品停产导致的供应链风险。
典型应用领域
企业级服务器与数据中心存储系统
网络路由器、交换机和通信基础设施
工业自动化与控制设备
高性能计算（HPC）集群
航空航天与国防应用
