核心关键参数
容量： 256 Kbit， 组织为 32,768 x 8位 （32KB）
接口： 工业标准 I²C 接口，兼容性强。
工作电压： 2.7V - 3.6V （宽压，适合3.3V系统）
速度：
时钟频率： 最高 1 MHz （Fast Mode+）
写入速度： 无延时写入。像写RAM一样，无需页写等待周期，总线释放后即完成写入。
读写耐久性：
高达 10^14 次 （100万亿次） 读写周期，比EEPROM高出多个数量级。
数据保持： 10年 @ 85°C （数据在断电情况下可保存10年）
功耗： 极低的读写功耗，待机电流仅为微安级。
封装： SOIC-8 （“-G”通常表示无铅符合RoHS标准）
突出核心优点
与EEPROM和FLASH等传统非易失存储器相比，FM24W256-G的优势是颠覆性的：
无限次写，告别寿命忧虑：
10^14 次写寿命 是其最核心的优势。相比之下，EEPROM通常只有10^6次。这意味着在FM24W256-G上，每秒写1000次，也可以连续写3000年以上。这使其成为数据记录应用的绝佳选择，可以无惧地频繁更新变量、计数器、日志等，完全无需考虑磨损均衡。
高速无延时写入，提升系统性能：
写入操作无需额外的页写周期或轮询等待。在I²C总线传输结束后，数据就已经被非易失地保存了。这消除了传统存储器在写入后的5-10ms等待时间，极大地提高了MCU的效率和数据写入的吞吐量。
低功耗操作，节能环保：
由于写入速度快且无需内部升压电路，FRAM的写入能耗比EEPROM低数百倍。这对于电池供电的物联网设备、便携式仪表等至关重要，能有效延长设备续航时间。
高可靠性，数据更安全：
FRAM的物理特性使其抗震动、抗电磁干扰能力更强。同时，由于其写操作是“原子性”的，在突然断电时，能更好地保护正在写入的数据，避免像FLASH那样出现数据损坏或页写错误。
总结与适用场景
总而言之，FM24W256-G是一款以其“近乎无限的耐用性”、“高速无延时写入”和“超低功耗”重新定义了非易失性存储的芯片。
它特别适用于：
工业数据记录： 黑匣子、故障记录、参数统计、实时事件记录
电表/水表/气表： 费率参数、用量数据、冻结数据等频繁更新
办公设备： 打印机、复印机的页数计数器、耗材使用记录
汽车电子： 行车数据、事件记录器、子系统参数存储
医疗设备： 使用次数、治疗参数、校准数据记录
任何需要频繁、快速、可靠地保存数据的嵌入式系统
