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IKW75N65EH5 分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET -单

发布时间2020-7-8 10:58:00关键词:分立半导体产品
摘要

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产品信息

数据列表 IKW75N65EH5;_

标准包装 30

包装 管件

零件状态 有源

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

系列 TrenchStop?

其它名称 SP001257948

规格

IGBT 类型 沟道

电压 - 集射极击穿(最大值) 650V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 90A

电流 - 集电极脉冲 (Icm) 300A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2.1V @ 15V,75A

功率 - 最大值 395W

开关能量 2.3mJ(开),900μJ(关)

输入类型 标准

栅极电荷 160nC

25°C 时 Td(开/关)值 28ns/174ns

测试条件 400V,75A,8 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr) 92ns

工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)

安装类型 通孔

封装/外壳 TO-247-3

供应商器件封装 PG-TO247-3

有关咨询:IPP60R280P7、IPP60R120P7、IPP60R070CFD7和SPD15P10PLG等产品的欢迎垂询,谢谢!

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