检测电压（Vdet）：
范围： 提供从 1.8V 到 5.0V 的多种固定阈值选项，精度极高。
精度： 在常温下典型精度可达 ±1.5%，全温度范围（-40°C to +85°C）内也能保证 ±3%_的高精度。这种高精度消除了外部元件带来的误差，简化了设计并提高了系统可靠性。
功耗表现：
静态工作电流（Iq）： 典型值仅为 0.75µA（微安），最大值不超过 1.2µA。这是其最突出的优点之一，对于需要常年待机或电池供电的设备至关重要，能极大延长电池寿命。
待机电流： 在输出复位状态下，电流消耗极低。
输出配置：
类型： 推挽（Push-Pull）输出结构。这与开漏（Open-Drain）输出相比，最大优势在于无需外接上拉电阻，既节省了PCB空间和BOM成本，又提供了强驱动能力，高低电平切换速度快，无上升沿延迟问题。
响应速度：
检测响应时间： 典型值为 40µs（微秒），能够快速响应电压跌落，及时向主处理器发出复位信号，防止系统在非正常电压下运行导致错误或数据损坏。
封装与工艺：
封装： MSOP-8 封装。体积小巧，非常适合高密度板卡设计。
工艺： 先进的CMOS工艺确保了低功耗和高集成度。
工作温度范围： -40°C to +85°C。满足工业级和汽车级以外的广泛商业及消费类应用需求。
典型应用场景
便携式医疗设备： 血糖仪、血压计、手持监护仪（对功耗和可靠性要求极高）。
物联网终端： NB-IoT模块、LoRa节点、智能传感器（超低功耗是关键）。
消费电子产品： TWS耳机充电仓、智能手表、遥控器、电子玩具。
通信与计算： 路由器、交换机、服务器主板（监控多路电源）。
工业控制： 数据采集模块、手持终端。
