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产品信息
数据列表 BSC160N10NS3 G;_
标准包装 5，000
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列 OptiMOS?
其它名称 BSC160N10NS3 G
BSC160N10NS3 G-ND
BSC160N10NS3 GINTR-ND
BSC160N10NS3G
BSC160N10NS3GATMA1TR
SP000482382
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 8.8A（Ta），42A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 16 毫欧 @ 33A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.5V @ 33μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 25nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1700pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 60W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TDSON-8-1
封装/外壳 8-PowerTDFN
有关咨询：BSC060N10NS3G、IPD65R400CE、IPD65R650CE和IPD65R660CFD等产品信息，欢迎垂询，谢谢！
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