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IPP90R1K2C3 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

发布时间2020-7-8 16:15:00关键词:晶体管
摘要

直插 IPP90R1K2C3 9R1K2C 5.1A/900V TO220 MOS管场效应管 ,通孔-N-通道-900V-5.1A(Tc)-83W(Tc)-PG-TO220-3

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产品信息

数据列表 IPP90R1K2C3;_

IPP90R1K2C3;_

标准包装 50

包装 管件

零件状态 最後搶購

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

系列 CoolMOS?

其它名称 IPP90R1K2C3

IPP90R1K2C3-ND

SP000411302

SP000683096

规格

FET 类型 N 通道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 900V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 5.1A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.2 欧姆 @ 2.8A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 310μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 28nC @ 10V

Vgs(最大值) ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 710pF @ 100V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 83W(Tc)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 通孔

供应商器件封装 PG-TO220-3

封装/外壳 TO-220-3

有关咨询:IPB65R110CFD、IPB65R110CFDA、SPW20N60C3和SPW47N60CFD等产品的信息,欢迎垂询。谢谢!

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