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产品信息
数据列表 SPD18P06P G;_
标准包装 2，500
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列 SIPMOS?
其它名称 SP000443926
SPD18P06P G
SPD18P06P G-ND
SPD18P06P GTR-ND
SPD18P06PG
SPD18P06PGBTMA1TR
规格
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 18.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 130 毫欧 @ 13.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 33nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 860pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 80W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TO252-3
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
相关产品如：SPD08P06PG、SPD07N60C3、SPD30P06PG、SPD09P06PLG、SPD04P10PLG和SPP11N60C3等产品信息，欢迎垂询。谢谢！
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