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产品信息
数据列表 IPD60R1K4C6;_
标准包装 2，500
包装 标准卷带
零件状态 不適用於新設計
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列 CoolMOS? C6
其它名称 IPD60R1K4C6ATMA1-ND
IPD60R1K4C6ATMA1TR
SP001292870
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 600V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 1.4 欧姆 @ 1.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.5V @ 90μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 9.4nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 200pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 28.4W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TO252-3
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
相关产品如：TDA21470、TDA21460、TDA21472、IPD60R1K0CE、IPD60R650CE等，欢迎垂询。谢谢！
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