内存容量与组织
总容量：4Gb（512MB）
组织架构：256M（行） × 16bit（列） × 8 Banks
数据位宽：16bit（x16 配置）
Bank数量：8
性能参数
速度等级：-107
时钟频率：933 MHz（等效于 DDR3L-1866，数据速率 1866 Mbps）
时序参数（CL-tRCD-tRP-tRAS）：
默认：13-13-13-35 cycles
支持更宽时序配置（通过模式寄存器可调）
预取架构：8n（DDR3标准预取）
电压与功耗
工作电压：1.35V（DDR3L 低电压标准，兼容 1.5V DDR3）
功耗：
动态功耗（典型值）：待补充（需参考 datasheet）
支持低功耗模式（自刷新、待机）
关键特性
低电压优势：相比标准 DDR3（1.5V），功耗降低约 20%。
兼容性：可向下兼容 1.5V 系统（需主板支持）。
片上终结（ODT）：支持动态调整，改善信号完整性。
刷新机制：
自动刷新（Auto Refresh）
自刷新（Self Refresh）
应用领域
工业嵌入式系统
网络设备（路由器、交换机）
汽车电子（需验证温度范围）
消费类电子产品（如高端平板、瘦客户机）
其他备注
“P”后缀：通常表示工业级温度范围和特定封装。
替代型号：
同系列不同速度：MT41K256M16TW-125（DDR3L-1600）
标准电压版：MT41J256M16（1.5V DDR3）
