存储特性
容量：64Kbit（8KB），字节寻址，兼容I²C接口（400kHz/1MHz）
读写速度：0.15ms/页（比EEPROM快1000倍，无写延迟）
数据保持：10年@85℃（自刷新技术，无需电池备份）
可靠性
擦写寿命：10^12次（EEPROM的100万倍，Flash的10万倍）
工作电压：1.8V~3.6V（宽压设计，兼容低功耗MCU）
抗干扰：±4kV ESD保护（符合IEC61000-4-2标准）
环境适应性
温度范围：-40℃~85℃（工业级标准，汽车级可选）
封装：8-pin SOP（紧凑型设计，PCB占位小）
三大核心优势（技术差异化）
✅ 零延迟写入
无需页擦除/等待时间，数据直接覆盖写入，适用于实时数据记录（如黑匣子、传感器日志）。
✅ 超低功耗
工作电流150μA（1MHz），待机0.1μA，电池供电设备首选（如IoT终端）。
✅ 抗辐射干扰
FRAM物理结构免疫磁场/射线影响，对比Flash在强电磁场中数据可靠性提升100倍。
典型应用场景
▸ 工业PLC（实时参数存储）
▸ 智能电表（费率数据防篡改）
▸ 医疗设备（手术记录永久保存）
▸ 汽车电子（OBD故障码存储）
