基本规格
容量：8Gb（1GB），x8位宽，DDR4-2133（PC4-17000）
时序：CL15-15-15（低延迟优化）
电压：1.2V（VDD）/1.2V（VPP），支持低功耗模式
性能特性
带宽：17GB/s（单颗理论峰值）
刷新模式：自动/自刷新（支持温度补偿刷新TCAR）
预取：8n，Bank Group架构提升效率
可靠性
工作温度：-40℃~95℃（工业级，符合JEDEC标准）
封装：78-ball FBGA（超薄设计，抗震动）
ECC支持：可选纠错码版本（提升数据完整性）
三大核心优势（行业领先）
✅ 超低功耗设计
相比DDR3L功耗降低20%，1.2V工作电压，适用于电池供电设备（如边缘计算终端）。
✅ 工业级环境适应
宽温支持-40℃~95℃，抗干扰强，适用于5G基站、车载系统等恶劣环境。
✅ 高带宽低延迟
2133MHz频率+Bank Group架构，提升AI推理、嵌入式GPU等高性能场景效率。
典型应用场景
▸ 工业自动化（PLC、HMI高速缓存）
▸ 网络通信（路由器、交换机数据缓冲）
▸ 汽车电子（智能座舱、ADAS存储）
▸ AI边缘计算（FPGA/ASIC加速内存）
