关键参数
容量与组织
容量：4Gb（256M × 16位）
每个芯片容量为 4Gbit，数据总线宽度为 16位，内部组织为 256M × 16。
Bank数量：8 Banks
刷新模式：支持自动刷新（Auto-Refresh）和自刷新（Self-Refresh）。
速度与时序
速度等级：-062E
对应时钟频率 2133 MHz（DDR4-2133），等效数据传输率 4266 MT/s。
时序参数（典型值）：CL=15，tRCD=15，tRP=15（单位：ns，具体以数据手册为准）。
电压
工作电压：1.2V（VDD）
I/O电压：1.2V（VDDQ）
其他特性
低功耗设计：支持动态节电模式（如PASR、温度补偿刷新等）。
片上ECC：部分美光DDR4芯片支持，需确认具体型号。
温度范围：工业级（-40°C 至 +95°C），后缀“:F”可能表示特定温度或封装选项。
封装与引脚
封装类型：FBGA（通常为96-ball或类似规格）。
引脚兼容性：符合JEDEC DDR4标准，设计时需参考官方封装图纸。
应用场景
嵌入式系统：工业控制、网络设备。
服务器/数据中心：高密度内存模块。
消费电子：高端显卡、游戏主机（需验证型号适用性）。
