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【低内阻王者】AO3402 P沟道MOSFET -30V/-5.6A 工业级效能,开关损耗降低50%!

发布时间2025-5-23 12:18:00关键词:替代传统MOS管-4.5V驱动即导通,PCB面积节省30%!
摘要

N沟道,30V,4A,55mΩ@4.5V

关键电气参数

电压/电流:-30V漏源电压(VDSS),-5.6A连续电流(ID)

导通电阻:

RDS(on)=36mΩ @ VGS=-10V(业界同级别领先水平)

RDS(on)=55mΩ @ VGS=-4.5V(低压驱动优势显著)

栅极阈值:VGS(th)=-1.3V(典型值),兼容3.3V/5V MCU直接控制

突出优势

高效能损耗控制:

超低RDS(on)有效降低导通损耗,温升比竞品低15%~20%_开关速度优化(Qg=8.5nC),适合高频PWM应用(如DC-DC转换)

紧凑封装:

SOT-23封装(2.9×2.4mm),节省PCB空间,适合便携设备高密度设计

可靠性保障:

100%雪崩测试,工作温度范围-55℃~150℃,通过工业级认证

典型应用场景

锂电池保护电路、负载开关、电机驱动

5V/12V电源管理系统(如USB供电切换)

替代IRF9Z34等老旧型号的升级方案