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热卖推荐2SC5566-TD-E 高频高功率NPN晶体管——稳定高效,专为严苛环境设计

发布时间2025-6-8 13:37:00关键词:2SC5566-TD-E —— 高功率、高频率、高可靠性,满足严苛电子设计需求!
摘要

2SC5566-TD-E

核心参数

极性:NPN(硅外延平面型)

集电极-发射极电压(VCE):120V

集电极电流(IC):15A(连续)

功率耗散(PD):130W(@25°C,带散热器)直流电流增益(hFE):40-200(@IC=5A)

开关频率(fT):20MHz(高频适用)

封装:TO-3P(高散热金属封装)

专业优势解析

高功率承载能力

130W大功率设计,搭配TO-3P封装,散热性能优异,适用于大电流开关及功率放大电路。

高频特性优异

fT=20MHz,低开关损耗,适用于高频逆变器、开关电源等场景。

高可靠性

内置抗饱和二极管,优化反向恢复特性,减少开关噪声,提升系统稳定性。

宽工作温度范围

-55°C ~ +150°C,适应工业、车载等严苛环境。

典型应用场景

工业电源:大电流开关、DC-DC转换

电机驱动:变频器、伺服放大器

高频设备:RF放大器、超声波发生器

汽车电子:点火系统、LED驱动