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热卖推荐MPMT2002AT1 大功率MOSFET | 低内阻/高耐压,工业级可靠性!

发布时间2025-7-25 16:11:00关键词:200V/20A 功率器件
摘要

“MPMT2002AT1 通过优化沟道技术,在同等规格下实现比竞品低15%的导通损耗,搭配DPAK封装的热阻优势,成为高密度电源设计的理想选择

关键参数

电压/电流:200V耐压,20A持续电流(@25°C),满足高压大电流场景。

导通电阻(RDS(on)):仅 8.5mΩ(@VGS=10V),大幅降低传导损耗。

开关性能:Qg(栅极电荷)18nC,优化高频开关效率。

热性能:结温范围 -55°C至+175°C,支持高温环境稳定运行。

封装:TO-252(DPAK),兼容主流贴片工艺,散热设计优良。

2. 突出优势

能效卓越:超低RDS(on)减少能量损耗,提升系统整体效率(尤其适用于电源/电机驱动)。

可靠性强:工业级温度耐受,通过 AEC-Q101 认证(若适用),寿命更长。

设计友好:封装兼容性强,PCB布局简化,降低生产成本。

3. 典型应用

开关电源(SMPS)、DC-DC转换器

电机驱动(无人机/电动工具)

新能源车载电子(OBC/PDU)